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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1851 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1852 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1852-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1853 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1853 | RENESAS |
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15A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1853(0)-T-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,15A I(D),SIP |
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| 2SK1853-AZ | RENESAS |
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15A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1853-T-AZ | RENESAS |
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Nch Mosfet For Switching, MP-10, /Tape |
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| 2SK1858 | TOSHIBA |
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HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS |
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| 2SK1858(2-10S1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 800 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FL, 3 PIN, FET General P |
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