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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1850-AZ | RENESAS |
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10A, 60V, 0.095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1851 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1852 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1852-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1853 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1853 | RENESAS |
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15A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1853(0)-T-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,15A I(D),SIP |
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| 2SK1853-AZ | RENESAS |
获取价格 |
15A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1853-T-AZ | RENESAS |
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Nch Mosfet For Switching, MP-10, /Tape |
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| 2SK1858 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS |
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