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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1C, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK184GR | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK184-GR | TOSHIBA |
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Low Noise Audio Amplifier Applications |
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| 2SK184-GRTPE4 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type |
|
| 2SK184Y | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SPAK |
|
| 2SK184-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig |
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| 2SK1850 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1850-AZ | RENESAS |
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10A, 60V, 0.095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK1851 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1852 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1852-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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