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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK184BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK184-BL | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig |
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| 2SK184GR | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SPAK |
|
| 2SK184-GR | TOSHIBA |
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Low Noise Audio Amplifier Applications |
|
| 2SK184-GRTPE4 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type |
|
| 2SK184Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SPAK |
|
| 2SK184-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig |
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| 2SK1850 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1850-AZ | RENESAS |
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10A, 60V, 0.095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK1851 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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