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2SK1846

更新时间： 2024-09-26 20:19:23

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松下 - PANASONIC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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2SK1846 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1846 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK1846

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 20mJ

unit: mm

● V_GSS= ±30V guaranteed

● High-speed switching: t_f= 35ns

● No secondary breakdown

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

1.5max.

0.8±0.1

1.1max.

0.5max.

● Switching power supply

2.54±0.3

5.08±0.5

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Gate

2: Drain

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

800

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±30

3: Source

N Type Package

±3

Drain current

I_DP

±6

EAS^*

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

1.3

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 4.5mH, I_L= 3A, V_DD= 50V, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

V_DS= 640V, V_GS= 0

V_GS= ±30V, V_DS= 0

I_D= 1mA, V_DS= 0

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 10V, I_D= 2A

V_DS= 25V, I_D= 2A

I_DR= 3A, V_GS= 0

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

0.1

±1

I_GSS

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

800

Gate threshold voltage

V_th

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

R_DS(on)

| Y_fs|

V_DSF

3.2

2.4

Ω

1.5

−1.6

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

730

V_DS= 20V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time

t_on

V_GS= 10V, I_D= 2A

Fall time

t_f

V_DD= 200V, R_L= 100Ω

Turn-off time (delay time)

Thermal resistance between channel and case

t_d(off)

R_th(ch-c)

105

3.125

°C/W

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SK1846TX	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
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