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2SK1842S

更新时间： 2024-09-26 19:42:59

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松下 - PANASONIC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	68K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.001A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-59, 3 PIN

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2SK1842S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	INFRA-RED SENSOR	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.001 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1842S 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK1842

Silicon N-channel junction FET

Unit: mm

+0.10

–0.05

For impedance conversion in low frequency

For infrared sensor

0.40

+0.10

0.16

–0.06

■ Features

• Low gate-source cutoff current I_GSS

• Low capacitance (Common source) C_iss, C_oss, C_rss

• Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

(0.95) (0.95)

1.9 ^0.1

+0.20

2.90

–0.05

10˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Gate-drain voltage (Source open)

Gate-source voltage (Drain open)

Drain current

Symbol

V_GDO

V_GSO

I_D

Rating

Unit

−40

1: Source

2: Drain

3: Gate

−40

°C

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Gate current

I_G

Marking Symbol: EB

Power dissipation

P_D

150

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Drain-source cutoff current ^*

Gate-source cutoff current

Gate-source cutoff voltage

Forward transfer admittance

Symbol

V_GDS

I_DSS

Conditions

Min

−40

Typ

Max

Unit

I_G= −10 µA, V_DS= 0

V_DS= 10 V, V_GS= 0

200

− 0.5

−3.0

µA

I_GSS

V_GS= −20 V, V_DS= 0

V_GSC

Y_fs

C_iss

V_DS= 10 V, I_D= 1 µA

−1.3

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

0.05

1.0

0.4

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_oss

C_rss

Short-circuit output capacitanc

(Common source)

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

I_DSS(µA)

30 to 75

50 to 100

70 to 130

100 to 200

Publication date: March 2004

SJF00013CED

12 3

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与2SK1842S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1842TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.001A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK1846	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1846H	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1846TX	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1847	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK1847(KJ)TB	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1848	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK1849	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK1849(MJ)TB	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK184BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| SPAK

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