2SK1842TMG

更新时间： 2024-02-14 11:25:43

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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2页	35K
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.001A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET

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2SK1842TMG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.001 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1842TMG 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK1842

Silicon N-Channel Junction FET

For impedance conversion in low frequency

For infrared sensor

unit: mm

2.8 –⁺0⁰.^.3²

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

0.65±0.15

■ Features

● Low gate to source leakage current, I_GSS

● Small capacitance of C_iss, C_oss, C_rss

● Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Gate to Drain voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_GDO

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

−40

0.1 to 0.3

0.4±0.2

−40

°C

1: Source

2: Drain

3: Gate

JEDEC: TO-236

EIAJ: SC-59

Mini Type Package (3-pin)

Gate current

I_G

Allowable power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_D

150

T_j

150

Marking Symbol (Example): EB

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

200

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

I_DSS

V_DS= 10V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= −20V, V_DS= 0

I_G= −10µA, V_DS= 0

− 0.5

V_GDS

V_GSC

| Y_fs|

−40

Gate to Source cut-off voltage

Forward transfer admittance

_DS= 10V, I_D= 1µA

−1.3

−3

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1kHz

0.05

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

0.4

^*I_DSSrank classification

Runk

I_DSS(mA)

30 to 75

EBP

50 to 100

EBQ

70 to 130

EBR

100 to 200

EBS

Marking Symbol

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1846	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1846H	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1846TX	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1847	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK1847(KJ)TB	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK1848	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK1849	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SK1849(MJ)TB	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK184BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| SPAK
2SK184-BL	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig

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