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2SK0601G

更新时间： 2024-11-25 21:09:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	208K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWER, MINIP3-F2, 3 PIN

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2SK0601G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK0601G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon MOSFETs (Small Signal)

2SK0601G

Silicon N-channel MOSFET

For switching circuits

■ Package

■ Features

•

Code

• Low drain-souce ON resistance R_DS(on)

• High-speed switching

• Allowing to be driven directly by CMOS and TTL

• Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and

automatic insertion through the tape/magazine packing.

MiniP3-F2

Pin Name

1: Gate

2: Drain

3: Source

•

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage (Drain open)

Drain current

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Rating

Unit

■ Marking Symbol: O

0.5

Peak drain current

I_DP

1.0

Power dissipation ^*

Channel temperature

Storage temperature

P_D

°C

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

Note) : PC board: Copper foil of the drain portion should have a area of

1 cm²or more and the board thickness should be 1.7 mm.

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_DSS

I_DSS

Conditions

I_DS= 100 µA, V_GS= 0

Min

Typ

Max

Unit

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

V_DS= 60 V, V_GS= 0

0.1

3.5

µA

I_GSS

V_GS= 20 V, V_DS= 0

V_th

I_D= 1 mA, V_DS= V_GS

1.5

Drain-source ON resistance ^*

R_DS(on)

Y_fs

C_iss

I_D= 0.5 A, V_GS= 10 V

I_D= 0.2 A, V_DS= 15 V, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Ω

Forward transfer admittance

300

Short-circuit forward transfer

capacitance (Common source)

C_oss

C_rss

Short-circuit output capacitance

(Common source)

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Turn-on time ^*

t_on

Turn-off time ^*

t_off

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

10%

V_OUT

2: t_on, t_offmeasurement circuit

V_IN

10%

V_IN= 10 V

68 Ω

V V_DD= 30 V

90%

t = 1 µs

f = 1 kHz

V_OUT

50 Ω

90%

t_on

t_off

Publication date: September 2007

SJF00075AED

12 3 4

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2SK0601G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK601	PANASONIC	功能相似	Silicon N-Channel MOS FET
2SK0601	PANASONIC	功能相似	Silicon N-Channel MOS FET

与2SK0601G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK0614	PANASONIC	获取价格	For switching
2SK0614(2SK614)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET
2SK0615	PANASONIC	获取价格	SILICON N-CHANNEL MOS FET
2SK0615(2SK615)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET
2SK0620	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 100MA I(D) \| TO-236
2SK0620(2SK620)	ETC	获取价格	2SK0620 (2SK620) - N-Channel MOS FET
2SK0655	PANASONIC	获取价格	For Switching
2SK0655(2SK655)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET
2SK0656	PANASONIC	获取价格	For Switching
2SK0656(2SK656)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号FET － MOS FET

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