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2SK601

更新时间： 2024-09-20 22:21:47
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK601 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.82
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A
最大漏极电流 (ID)：0.5 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK601 数据手册

 浏览型号2SK601的Datasheet PDF文件第2页 
Silicon MOS FETs (Small Signal)  
2SK601  
Silicon N-Channel MOS FET  
For switching  
unit: mm  
1.5±0.1  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
■ Features  
● Low ON-resistance RDS(on)  
● High-speed switching  
● Allowing to be driven directly by CMOS and TTL  
● Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and  
automatic insertion through the tape/magazine packing.  
45˚  
0.4±0.08  
0.4±0.04  
0.5±0.08  
1.5±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
3.0±0.15  
2
Parameter  
Drain to Source voltage  
Gate to Source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDS  
Ratings  
Unit  
V
3
1
80  
VGSO  
ID  
20  
V
1: Gate  
2: Drain  
marking  
±0.5  
A
3: Source  
EIAJ: SC-62  
Max drain current  
IDP  
±1  
A
*
Mini-Power Type Package (3-pin)  
Allowable power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
PD  
1
W
°C  
°C  
Tch  
150  
Marking Symbol: O  
Tstg  
−55 to +150  
* PC board: Copper foil of the drain portion should have a area of 1cm2 or  
more and the board thickness should be 1.7mm.  
■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
VDS = 60V, VGS = 0  
min  
typ  
max  
10  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
IGSS  
VGS = 20V, VDS = 0  
0.1  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
IDS = 100µA, VGS = 0  
ID = 1mA, VDS = VGS  
ID = 0.5A, VGS = 10V  
ID = 0.2A, VDS = 15V, f = 1kHz  
80  
Gate threshold voltage  
Vth  
1.5  
3.5  
4
V
1
*
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
RDS(on)  
| Yfs |  
2
300  
45  
30  
8
Ω
mS  
pF  
pF  
pF  
ns  
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
2
*
Turn-on time  
Turn-off time  
ton  
15  
20  
2
*
toff  
ns  
1 Pulse measurement  
*
2 ton, toff measurement circuit  
*
10%  
Vout  
Vin  
Vin  
10%  
68Ω  
Vin = 10V  
90%  
90%  
Vout  
Vout  
VDD = 30V  
t = 1µS  
f = 1MHZ  
50Ω  
ton  
toff  
1
12

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2SK601 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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