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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK611 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK611-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK611-Z-T1 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK611-Z-T2 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK612 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SK612Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
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| 2SK612-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK612-Z-T1 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK613-2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 13MA I(DSS) | TO-236 |
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| 2SK613-3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 19MA I(DSS) | TO-236 |
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