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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK611-Z-T2 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK612 | ETC |
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MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SK612Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
|
| 2SK612-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK612-Z-T1 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK613-2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 13MA I(DSS) | TO-236 |
|
| 2SK613-3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 19MA I(DSS) | TO-236 |
|
| 2SK613-4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 27MA I(DSS) | TO-236 |
|
| 2SK614 | PANASONIC |
获取价格 |
For switching |
|
| 2SK615 | PANASONIC |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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