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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK643 | TOSHIBA |
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2SK643 |
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| 2SK644 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 450 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK646 | HITACHI |
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SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK649X | PANASONIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| 2SK65 | PANASONIC |
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For Impedance Conversion In Low Frequency |
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| 2SK654 | NEC |
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FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK654-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK654-Z-T1 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK655 | PANASONIC |
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For Switching |
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| 2SK656 | PANASONIC |
获取价格 |
For Switching |
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