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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK649X | PANASONIC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| 2SK65 | PANASONIC | For Impedance Conversion In Low Frequency |
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| 2SK654 | NEC | FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK654-Z | NEC | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK654-Z-T1 | NEC | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK655 | PANASONIC | For Switching |
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