2SK620

更新时间： 2024-02-04 11:45:00

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Silicon N-Channel MOS FET

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2SK620 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK620 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK620

Silicon N-Channel MOS FET

For switching

unit: mm

2.8 –⁺0⁰.^.3²

0.65±0.15

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

0.65±0.15

■ Features

● High-speed switching

● Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

0.1 to 0.3

0.4±0.2

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

Gate to Source voltage

Drain current

V_GSO

I_D

100

°C

1: Gate

2: Source

3: Drain

JEDEC: TO-236

EIAJ: SC-59

Mini Type Package (3-pin)

Max drain current

I_DP

P_D

200

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

150

T_ch

T_stg

150

Marking Symbol: 3N

Internal Connection

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

V_DS= 10V, V_GS= 0

V_GS= 8V, V_DS= 0

µA

I_GSS

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

I_D= 100µA, V_GS= 0

Gate threshold voltage

V_th

I_D= 100µA, V_DS= V_GS

I_D= 20mA, V_GS= 5V

1.5

3.5

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

| Y_fs|

Ω

I_D= 20mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

V_DS= 5V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

Turn-on time

Turn-off time

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 to 5V, R_L= 200Ω

V_DD= 5V, V_GS= 5 to 0V, R_L= 200Ω

t_off

^*t_on, t_offmeasurement circuit

V_out

200Ω

90%

10%

V_in

V_GS= 5V

V_DD= 5V

V_out

10%

90%

50Ω

t_on

t_off

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK620TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK620TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK621	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK621TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK622	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-218VAR
2SK623	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-218VAR
2SK624	NSC	获取价格	Si N-Channel Junction
2SK630	ISC	获取价格	Drain Current âID=5A@ TC=25C
2SK631	ISC	获取价格	Drain Current âID=10A@ TC=25C
2SK632	ISC	获取价格	Drain Current âID=5A@ TC=25C

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