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2SK613-2

更新时间: 2024-01-18 01:29:33
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其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 13MA I(DSS) | TO-236

2SK613-2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.83Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:15 V
最大漏极电流 (ID):0.05 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK613-2 数据手册

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