2SK615

更新时间： 2024-09-20 21:55:35

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管开关
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4页	88K
描述
SILICON N-CHANNEL MOS FET

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2SK615 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-71
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK615 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK0615 (2SK615)

Silicon N-Channel MOS FET

For switching

Unit: mm

I Features

G Low ON-resistance

G High-speed switching

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

G Allowing to be driven directly by CMOS and TTL

G M type package, allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R 0.9

R 0.7

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

(0.85)

0.55 0.1

0.45 0.05

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

Ratings

Unit

V_GSO

I_D

±0.5

1: Source

2: Drain

3: Gate

(2.5) (2.5)

Max drain current

I_DP

±1

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

°C

EIAJ: SC-71

M-A1 Package

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

^*PC board: Copper foil of the drain portion should have a area of 1cm²or

more and the board thickness should be 1.7mm.

I Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

V_DS= 60V, V_GS= 0

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

I_GSS

V_GS= 20V, V_DS= 0

I_DS= 100µA, V_GS= 0

I_D= 1mA, V_DS= V_GS

I_D= 0.5A, V_GS= 10V

0.1

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

Gate threshold voltage

V_th

1.5

3.5

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

| Y_fs|

300

Ω

I_D= 0.2A, V_DS= 15V, f = 1kHz

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

1, 2

Turn-on time

Turn-off time

t_on

1, 2

t_off

¹Pulse measurement

²t_on, t_offmeasurement circuit

10%

V_out

V_in

10%

68Ω

V_in= 10V

90%

V_out

V_DD= 30V

t = 1µS

f = 1MHZ

50Ω

t_on

t_off

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK619	HITACHI	获取价格	SILICON N-CHANNEL MOS FET
2SK620	PANASONIC	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK620TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK620TSK	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK621	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK621TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK622	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-218VAR
2SK623	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-218VAR
2SK624	NSC	获取价格	Si N-Channel Junction
2SK630	ISC	获取价格	Drain Current âID=5A@ TC=25C

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