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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK608S | PANASONIC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SK608TMG | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK608TSK | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK611 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK611-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK611-Z-T1 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK611-Z-T2 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK612 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SK612Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
|
| 2SK612-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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