2SK0664

更新时间： 2024-11-27 22:12:39

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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For Switching

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2SK0664 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	50 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK0664 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK0664 (2SK664)

Silicon N-Channel MOS FET

unit: mm

+0.10

–0.05

+0.1

–0.0

0.15

0.3

For switching

I Features

G High-speed switching

G S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-

matic insertion through the tape/magazine packing.

(0.65) (0.65)

1.3±0.1

2.0±0.2

10°

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

1: Gate

2: Source

3: Drain

Gate to Source voltage

Drain current

V_GSO

I_D

100

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

°C

Max drain current

I_DP

P_D

200

Marking Symbol: 3N

Internal Connection

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

150

T_ch

T_stg

150

−55 to +150

°C

I Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

V_DS= 10V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= 8V, V_DS= 0

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

I_D= 100µA, V_GS= 0

Gate threshold voltage

V_th

I_D= 100µA, V_DS= V_GS

I_D= 20mA, V_GS= 5V

I_D= 20mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

1.5

3.5

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

| Y_fs|

Ω

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

V_DS= 5V, V_GS= 0, f = 1kHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

Turn-on time

Turn-off time

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 to 5V, R_L= 200Ω

V_DD= 5V, V_GS= 5 to 0V, R_L= 200Ω

t_off

^*t_on, t_offmeasurement circuit

V_out

200Ω

90%

10%

V_in

V_GS= 5V

V_DD= 5V

V_out

10%

90%

50Ω

t_on

t_off

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

289

12 3

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