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2SK0662GQ

更新时间： 2024-11-28 19:41:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	205K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SK0662GQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK0662GQ 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK0662G

Silicon N-channel junction FET

For low-frequency and low-noise amplification

■ Package

■ Features

•

Code

• High mutual conductance g_m

SMini3-F2

Pin Name

• Low noise type

• SMini type package, allowing downsizing of the sets and auto-

matic insertion through the tape/magazine packing

•

1: Source

2: Drain

3: Gate

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-sourse voltage

Symbol

V_DS

V_DGO

I_D

Rating

Unit

■ Marking Symbol: 1O

Drain-gate voltage (Source open)

Drain current

°C

Gate current

I_G

Power dissipation

P_D

150

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Drain-source current ^*

Gate-source cutoff current

Gate-source cutoff voltage

Mutual conductance

Symbol

I_DSS

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS= 10 V, V_GS= 0

0.5

I_GSS

V_GS= 30 V, V_DS= 0

100

1.5

V_GSC

g_m1

V_DS= 10 V, I_D= 10 µA

0.1

V_DS= 10 V, I_D= 0.5 mA, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 kHz

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

g_m2

C_iss

3.5

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_rss

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Noise voltage

V_DS= 30 V, I_D= 1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

I_DSS(mA)

0.5 to 3.0

2.0 to 6.0

4.0 to 12.0

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: May 2008

SJF00055CED

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