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2SK0615(2SK615)

更新时间： 2022-01-18 16:03:00

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描述
小信号デバイス－小信号FET － MOS FET

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2SK0615(2SK615) 数据手册

シリコンMOS FET (小信号)

2SK0615 (2SK615)

シリコンNチャネルMOS形

スイッチング用

Unit : mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

I 特長

G 低いオン抵抗

(1.0)

(1.5)

G スイッチング速度が速い。

R 0.9

G CMOS, TTLで直

接

駆動

R 0.7

G M型パッケージで自動挿入、手挿入が容易、P板に自立固

定で

きる。

I 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

(0.85)

0.45 0.05

0.55 0.1

項目

ドレイン·ソース電圧

ゲート·ソース電圧

ドレイン電流

記号

V_DS

V_GSO

I_D

定格

単位

1: Source

2: Drain

±0.5

(2.5) (2.5)

3: Gate

EIAJ: SC-71

M-A1 Package

最大ドレイン電流

許容損失

I_DP

±1

P_D

°C

チャネル部温度

T_ch

150

保存温度

T_stg

−55 ~ +150

プリント基板: ドレイン部分の銅箔面

積1cm²以上、厚み1.7mm

I 電気的特性 (Ta = 25°C)

項目

記号

I_DSS

条件

最小

標準

最大

単位

µA

ドレイン·ソースしゃ断電流

ゲート·ソース漏れ電流

ドレイン·ソース降伏電圧

ゲートしきい値電圧

V_DS= 60V, V_GS= 0

V_GS= 20V, V_DS= 0

I_GSS

V_DSS

V_th

0.1

I_DS= 100µA, V_GS= 0

I_D= 1mA, V_DS= V_GS

I_D= 0.5A, V_GS= 10V

I_D= 0.2A, V_DS= 15V, f = 1kHz

1.5

3.5

ドレイン·ソース間オン抵抗 R_DS(on)

順方向伝達アドミタンス | Y_fs|

地) C_iss

出力容量 (ソース接地) C_oss

帰還容量 (ソース接地) C_rsspF

Ω

300

入力容量 (ソース接

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz 30 pF

1, 2

ターンオン時間

ターンオフ時間

t_on

1, 2

t_off

パルス測定

²t_on, t_off測定回路

10%

V_out

V_in

10%

90%

68Ω

V_DD= 30V

V_in= 10V

90%

V_out

t = 1µS

f = 1MHZ

50Ω

t_on

t_off

注) ( )内は, 従来品

番です

12 3

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