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2SK0655(2SK655)

更新时间： 2024-11-24 23:20:35

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描述
小信号デバイス－小信号FET － MOS FET

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2SK0655(2SK655) 数据手册

シリコンMOS FET (小信号)

2SK0655 (2SK655)

シリコンNチャネルMOS形

スイッチング用

unit: mm

4.0 0.2

2.0 0.2

I 特長

G スイッチング速度が速い。

0.75 max.

G ラジアールテーピングでの供給可能

I 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

+0.20

0.45

–0.10

+0.20

–0.10

0.45

(2.5) (2.5)

項目

ドレイン·ソース電圧

ゲート·ソース電圧

ドレイン電流

記号

V_DS

定格

単位

0.7 0.1

V_GSO

I_D

100

°C

1: Source

2: Drain

3: Gate

最大ドレイン電流

許容損失

I_DP

P_D

200

NS-B1 Package

チャネル部温度

保存温度

T_ch

T_stg

150

内部接続図

−55 ~ +150

°C

I 電気的特性 (Ta = 25°C)

項目

記号

I_DSS

条件

V_DS= 10V, V_GS= 0

_GS= 8V, V_DS= 0

最小

標準

最大

単位

µA

ドレイン·ソースしゃ断電流

ゲート·ソース漏れ電流

ドレイン·ソース降伏電圧

ゲートしきい値電圧

I_GSS

V_DSS

V_th

I_D= 100µA, V_GS= 0

I_D= 100µA, V_DS= V_GS

I_D= 20mA, V_GS= 5V

1.5

3.5

ドレイン·ソース間オン抵抗 R_DS(on)

順方向伝達アドミタンス | Y_fs|

地) C_iss

出力容量 (ソース接地) C_oss

帰還容量 (ソース接地) C_rss0.5 pF

Ω

I_D= 20mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

入力容量 (ソース接

V_DS= 5V, V_GS= 0, f = 1MHz pF

ターンオン時間

ターンオフ時間

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 ~ 5V, R_L= 200Ω

V_DD= 5V, V_GS= 5 ~ 0V, R_L= 200Ω

t_off

^*t_on, t_off測定回路

V_out

200Ω

90%

10%

V_in

V_GS= 5V

V_DD= 5V

V_out

10%

90%

50Ω

t_on

t_off

注) ( )内は, 従来品

番です

283

12 3

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