2SK0663Q

更新时间： 2024-11-28 13:00:55

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

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2SK0663Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK0663Q 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK0663 (2SK663)

Silicon N-Channel Junction FET

For low-frequency amplification

For switching

unit: mm

+0.10

–0.05

+0.1

–0.0

0.15

0.3

I Features

G Low noise-figure (NF)

G High gate to drain voltage V_GDO

G S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-

matic insertion through the tape/magazine packing.

(0.65) (0.65)

1.3±0.1

2.0±0.2

10°

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Drain voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSX

V_GDO

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

−55

1: Source

2: Drain

3: Gate

−55

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

°C

Gate current

I_G

Marking Symbol (Example): 2B

Allowable power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_D

150

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

I Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

I_DSS

V_DS= 10V, V_GS= 0

V_GS= −30V, V_DS= 0

_G= 100µA, V_DS= 0

I_GSS

V_GDS

V_GSC

g_m

−10

Gate to Source cut-off voltage

Mutual conductance

V_DS= 10V, I_D= 10µA

−5

V_DS= 10V, I_D= 5mA, f = 1kHz

2.5

7.5

6.5

1.9

Input capacitance (Common Source) C_iss

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0, R_g= 100kΩ

Noise figure

2.5

f = 100Hz

^*I_DSSrank classification

Runk

I_DSS(mA)

1 to 3

2BP

2 to 6.5

2BQ

5 to 12

2BR

Marking Symbol

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

253

12 3

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