2SK0662Q

更新时间： 2024-11-25 13:04:27

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	78K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

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2SK0662Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK0662Q 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK0662 (2SK662)

Silicon N-Channel Junction FET

For low-frequency amplification

unit: mm

+0.10

–0.05

+0.1

–0.0

0.15

0.3

ꢀ Features

ꢁ High mutual conductance g_m

ꢁ Low noise type

ꢁ S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-

matic insertion through the tape/magazine packing.

(0.65) (0.65)

1.3±0.1

2.0±0.2

ꢀ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

10°

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Drain voltage

Drain current

Symbol

V_DSX

V_GDO

I_D

Ratings

Unit

−30

°C

1: Source

2: Drain

3: Gate

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Gate current

I_G

Allowable power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_D

150

Marking Symbol (Example): 1O

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

❘ꢀ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Source cut-off voltage

I_DSS

V_DS= 10V, V_GS= 0

0.5

I_GSS

V_GS= −30V, V_DS= 0

−100

−1.5

V_GSC

V_DS= 10V, I_D= 10µA

− 0.1

V_DS= 10V, I_D= 0.5mA, f = 1kHz

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1kHz

Mutual conductance

g_m

Input capacitance (Common Source) C_iss

p F

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

3.5

V_DS= 30V, I_D= 1mA, G_V= 80dB

Noise figure

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

^*I_DSSrank classification

Runk

I_DSS(mA)

0.5 to 3

1OP

2 to 6

1OQ

4 to 12

1OR

Marking Symbol

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

251

12 3

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