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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ647-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ647-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70 |
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| 2SJ647-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70 |
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| 2SJ647-T1-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70 |
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| 2SJ648 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ648-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ649 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ650 | SANYO |
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DC / DC Converter Applications |
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| 2SJ651 | SANYO |
获取价格 |
P CHANNEL SILICON TRASISTOR |
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| 2SJ651_03 | SANYO |
获取价格 |
DC / DC Converter Applications |
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