2SJ479S

更新时间： 2024-11-13 22:45:07

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	41K
描述
Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ479S 数据手册

2SJ479(L), 2SJ479(S)

Silicon P Channel DV–L MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-541

1st. Edition

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 25 mΩ typ.

4V gate drive devices.

High speed switching

•

Outline

LDPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ479STL-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ48	HITACHI	获取价格	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SJ480	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 12V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-236AB
2SJ483	HITACHI	获取价格	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ483	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ483TZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ484	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ484	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ484WY	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ484WYTL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal