2SJ486

更新时间： 2024-10-27 06:25:31

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2SJ486 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.25
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	0.65 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ486

Silicon P Channel MOS FET

REJ03G0869-0300

(Previous: ADE-208-512A)

Rev.3.00

Sep 07, 2005

Description

Low frequency power switching

Features

•

Low on-resistance

R_{DS (on)}= 0.5 Ω typ. (at V_GS= –4 V, I_D= –100 mA)

2.5 V gate drive devices.

Small package (MPAK).

•

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Source

2. Gate

3. Drain

Note: Marking is “ZU–”.

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ486ZU	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ486ZU-01	HITACHI	获取价格	0.3 A, 30 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ486ZU-TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ486ZU-TL	RENESAS	获取价格	0.3A, 30V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ486ZU-TL-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ486ZU-TR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ486ZU-TR	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SJ486ZU-TR-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ486ZU-UL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ486ZU-UR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta