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2SJ493

更新时间： 2024-01-11 09:27:05

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日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SJ493 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.36	雪崩能效等级（Eas）：	25.6 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.185 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ493 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ493

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PART NUMBER

PACKAGE

2SJ493

Isolated TO-220

FEATURES

• Super low on-state resistance

DS(on)1

= 100 mΩ (MAX.) (V = –10 V, I = –8 A)

DS(on)2

= 185 mΩ (MAX.) (V = –4 V, I = –8 A)

iss

• Low C : C = 1210 pF (TYP.)

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

–60

# 20

GSS(AC)

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

Note1

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

GSS(DC)

–20, 0

# 16

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note2

D(pulse)

# 64

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

2.0

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

–55 to +150

–16

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

25.6

Notes 1. f = 20 kHz, Duty Cycle ≤ 10% (+Side)

2. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

3. Starting T^ch= 25°C, R^A= 25Ω, V^GS= –20V →0

THERMAL RESISTANCE

th(ch-C)

Channel to Case

4.17

62.5

°C/W

th(ch-A)

Channel to Ambient

The information in this document is subject to change without notice.

D11265EJ3V0DS00 (3rd edition)

Document No.

Date Published January 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

1999

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ494	NEC	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SJ494-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SJ495	NEC	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SJ495-AZ	NEC	暂无描述	获取价格
2SJ496	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
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