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2SJ493

更新时间： 2024-01-29 03:46:40

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日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SJ493 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.36	雪崩能效等级（Eas）：	25.6 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.185 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ493 数据手册

2SJ493

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

SOURCE TO DRAIN DIODE

FORWARD VOLTAGE

Pulsed

0.24

0.18

−100

−10

−1

GS = −4V

VGS = −4 V

GS = 0

−10V

0.12

0.06

−0.1

= −10A

−50

100

150

ch - Channel Temperature - ˚C

VSD - Source to Drain Voltage - V

CAPACITANCE vs. DRAIN TO

SOURCE VOLTAGE

SWITCHING CHARACTERISTICS

10000

1000

100

GS = 0

f = 1MHz

d(off)

Ciss

Coss

Crss

100

d(on)

−

30V

−

10V

= 10Ω

1.0

−0.1

−1

−10

−100

−0.1

−1

−10

−100

DS - Drain to Source Voltage - V

- Drain Current - A

REVERSE RECOVERY TIME vs.

DRAIN CURRENT

DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS

−80

−60

−40

−20

1000

100

di/dt = 50A/µs

I = −16 A

VGS = 0

−14

−12

−10

−8

DD = −48 V

−24 V

−12 V

−6

−4

−2

−0.1

−1

−10

−100

- Diode Current - A

- Gate Charge - nC

Data Sheet D11265EJ3V0DS00

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SJ494-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
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