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2SJ492

更新时间： 2024-02-28 07:18:28

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2页	51K
描述
MOS Field Effect Transistor

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2SJ492 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.32
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ492 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Field Effect Transistor

2SJ492

TO-263

Unit: mm

Features

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

Low on-state resistance

RDS(on)1 = 100 m (MAX.) (VGS = -10 V, ID = -10 A)

RDS(on)2 = 185 m (MAX.) (VGS =-4 V, ID =-10 A)

Low Ciss: Ciss = 1210 pF (TYP.)

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

Built-in gate protection diode

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

-60

Unit

Gate to source voltage (AC)

Gate to source voltage (DC) *1

Drain current (DC)

-20

Drain current(pulse) *2

1.5

Power dissipation

TA=25

TC=25

Channel temperature

Storage temperature

Channel to Case

Tch

150

Tstg

-55 to +150

1.79

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

Channel to Ambient

*1 f = 20 kHz, Duty Cycle

83.3

10% (+Side)

* 2 PW

10 s; d

1%.

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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