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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ486 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET Low FrequencyPower Switching |
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| 2SJ486 | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ486 | TYSEMI |
获取价格 |
Low on-resistance |
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| 2SJ486ZU | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ486ZU-01 | HITACHI |
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0.3 A, 30 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ486ZU-TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ486ZU-TL | RENESAS |
获取价格 |
0.3A, 30V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ486ZU-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ486ZU-TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ486ZU-TR | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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