5秒后页面跳转
2SJ480 PDF预览

2SJ480

更新时间: 2024-02-08 04:57:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 174K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-236AB

2SJ480 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.06Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):0.3 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.25 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

2SJ480 数据手册

  

与2SJ480相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ483 HITACHI Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

获取价格

2SJ483 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ483TZ-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ484 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ484 HITACHI Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

获取价格

2SJ484WY HITACHI Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

获取价格