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2SJ419

更新时间: 2024-11-19 22:35:55
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三洋 - SANYO 开关
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

2SJ419 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.082 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ419 数据手册

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