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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.144 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ420 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ421 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ424 | SANKEN | MOSFET |
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| 2SJ425 | SANKEN | MOSFET |
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| 2SJ426 | SANKEN | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ437 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 35A I(D) |
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