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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.063 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ421 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ424 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
| 2SJ425 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
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| 2SJ426 | SANKEN |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SJ437 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 35A I(D) |
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| 2SJ438 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND M |
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| 2SJ438(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB |
|
| 2SJ438(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
|
| 2SJ438_07 | TOSHIBA |
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DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
|
| 2SJ438_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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