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2SJ425

更新时间： 2024-11-19 22:35:55
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SJ425 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：UL APPROVED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ425 数据手册

  
2SJ425  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
–60  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
–60  
V
nA  
µA  
V
ID = –250µA, VGS = 0V  
±
±
±
20  
500  
VGS  
=
20V  
±
8
A
IDSS  
–250  
–4.0  
VDS = –60V, VGS = 0V  
VDS = –10V, ID = –250µA  
VDS = –10V, ID = –4.0A  
VGS = –10V, ID = –4.0A  
±
ID (pulse)  
PD  
A
VTH  
–2.0  
32 (Tch 150ºC)  
30 (Tc = 25ºC)  
150  
W
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
1.8  
2.8  
0.2  
580  
360  
90  
S
Tch  
0.28  
Ω
Tstg  
–55 to +150  
pF  
pF  
ns  
ns  
VDS = –25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Coss  
ton  
I
D = –4.0A, VDD = –30V,  
VGS = –10V,  
See Figure 3 on Page 5.  
toff  
45  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
–
–
–
–
–
250  
200  
150  
100  
10  
8
6
4
= –  
10V  
VDS  
=
–
VGS  
10V  
=
–
7V  
VGS –10V  
–
–
–
–
8
6
4
2
0
=
TC 125ºC  
– 6V  
25ºC  
–
55ºC  
2
0
50  
0
–
5V  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
8
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
5
–
5
400  
300  
200  
=
–
10V  
VDS  
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
=
ID – 4A  
VGS  
=
–
10V  
–
–
–
4
3
2
125ºC  
1
=
=
–
–
ID  
ID  
8A  
4A  
100  
0
–1  
0.5  
0.3  
0
–
–
–
–
–
–
–
20  
150  
0.1  
0.5  
1
5
10  
5
10  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
–10V  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
–
30  
–
–
50  
2000  
1000  
500  
8
6
ID (pulse) max  
=
VGS 0V  
=
f
1MHz  
ID max  
Ciss  
–10  
–
5
20  
10  
0
Coss  
Crss  
–
5V  
–4  
–1  
100  
50  
–0.5  
–
2
0
=
VGS 0V  
Without heatsink  
0.1  
–0.05  
20  
–10  
–20  
VDS (V)  
–30  
–40  
–50  
–
–
–
–
4
0
0
1
2
3
–
–
1
–
–
10  
– –  
50 100  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
0.5  
5
VSD (V)  
VDS (V)  
46  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ426 SANKEN

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