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2SD880

更新时间： 2024-02-14 13:26:10

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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2SD880 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.33
Base Number Matches：	1

2SD880 数据手册

2SD880

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SD880-Q

2SD880-Y

2SD880-GR

Micro Commercial Components

Features

•

With TO-220 package

Power amplifier applications

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

NPN Silicon

Power Transistors

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

1.5

-55 to +150

Unit

TO-220

P_C

T_J

Collector power dissipation

Junction Temperature

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Type

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=50mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc, I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

---

Vdc

---

Vdc

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

BASE

COLLECTOR

EMITTER

---

100

uAdc

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=7Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

V_CE(sat)

V_BE

Forward Current Transfer ratio

ꢁꢂꢃꢉꢄꢊꢂꢇꢄꢊ

(I_C=500mAdc, V_CE=5Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=3Adc, I_B=300mAdc)

Base-Emitter Voltage

(I_C=0.5Adc,V_CE=5Vdc)

---

300

---

Vdc

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

INCHES

ꢁꢂꢃ

ꢃꢂꢄ

.560

.380

.100

.230

.380

------

.500

.090

ꢃꢅꢆ

ꢃꢂꢄ

14.22

9.65

ꢃꢅꢆ

15.88

10.67

3.43

6.86

10.67

6.35

14.73

2.79

1.14

0.64

ꢄꢇꢈꢉ

.625

.420

.135

---

Vdc

MHz

2.54

f_T

Transistor Frequency

---

.270

.420

5.84

9.65

(I_C=500mAdc, V_CE=5Vdc)

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1MHz)

C_ob

.250

.580

------

12.70

.110

2.29

t_on

t_s

t_f

Turn on time

Storage time

Fall time

---

0.8

1.5

0.8

---

I_B1=-I_B2=0.2A, I_C=2A,

V_CC=30V, PW=20us

.020

.012

.139

.045

.025

0.51

0.30

.161

3.53

4.09

.140

.045

.190

.055

3.56

1.14

4.83

1.40

Classification OF h^FE(1)

.080

.115

2.03

2.92

Rank

Range

60-120

100-200

150-300

www.mccsemi.com

Revision: 3

2007/03/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD880_11	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
2SD880_15	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
2SD880B	BL Galaxy Electrical	获取价格	60V,3A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
2SD880-BP	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD880G-AB3-R	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
2SD880GR	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power
2SD880GR	TRSYS	获取价格	Transistor
2SD880GR	CDIL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD880-GR	MCC	获取价格	NPN Silicon Power Transistors
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