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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 70 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD880-GR | MCC |
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NPN Silicon Power Transistors |
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| 2SD880GR(TO-220) | CJ |
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Transistor |
|
| 2SD880-GR-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SD880-GR-BP-HF | MCC |
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Power Bipolar Transistor, |
|
| 2SD880GRL | TRSYS |
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暂无描述 |
|
| 2SD880GRP | MCC |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN, BIP Gen |
|
| 2SD880G-TA3-T | UTC |
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NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| 2SD880-HAF | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| 2SD880L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| 2SD880O | MOSPEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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