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2SD880-Y-B

更新时间： 2024-09-30 07:28:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
Transistor

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2SD880-Y-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)

2SD880-Y-B 数据手册

 浏览型号2SD880-Y-B的Datasheet PDF文件第2页 
2SD880  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2SD880-Q  
2SD880-Y  
2SD880-GR  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
x
With TO-220 package  
Power amplifier applications  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
NPN Silicon  
Power Transistors  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
60  
60  
7
3
1.5  
-55 to +150  
Unit  
V
V
V
A
TO-220  
B
L
M
C
PC  
TJ  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
W
R
D
A
K
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
E
F
PIN  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Type  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
G
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=50mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
60  
60  
7
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
I
J
1
2
3
N
---  
Vdc  
H
H
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
---  
---  
100  
100  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=7Vdc, IC=0)  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
ꢁꢂꢃꢉꢄꢊꢂꢇꢄꢊ  
(IC=500mAdc, VCE=5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=3Adc, IB=300mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=0.5Adc,VCE=5Vdc)  
60  
---  
---  
---  
300  
1
---  
Vdc  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
MM  
ꢁꢂꢃ  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
ꢃꢂꢄ  
.560  
.380  
.100  
.230  
.380  
------  
.500  
.090  
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.22  
9.65  
ꢃꢅꢆ  
15.88  
10.67  
3.43  
6.86  
10.67  
6.35  
14.73  
2.79  
1.14  
0.64  
ꢄꢇꢈꢉ  
.625  
.420  
.135  
---  
---  
---  
---  
3
1
Vdc  
MHz  
pF  
2.54  
fT  
Transistor Frequency  
---  
---  
.270  
.420  
5.84  
9.65  
(IC=500mAdc, VCE=5Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1MHz)  
Cob  
70  
.250  
.580  
------  
12.70  
.110  
2.29  
ton  
ts  
tf  
Turn on time  
Storage time  
Fall time  
---  
---  
---  
0.8  
1.5  
0.8  
---  
---  
---  
us  
us  
us  
IB1=-IB2=0.2A, IC=2A,  
VCC=30V, PW=20us  
.020  
.012  
.139  
.045  
.025  
0.51  
0.30  
J
K
.161  
3.53  
4.09  
L
M
.140  
.045  
.190  
.055  
3.56  
1.14  
4.83  
1.40  
Classification OF hFE(1)  
N
.080  
.115  
2.03  
2.92  
Rank  
Q
Y
GR  
Range  
60-120  
100-200  
150-300  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2007/03/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD880-Y-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
2SD880YL UTC

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2SD880YP MCC

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