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2SD880Y

更新时间: 2024-11-20 20:25:27
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页数 文件大小 规格书
1页 71K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

2SD880Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.33
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
基于收集器的最大容量:70 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:30 W
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SD880Y 数据手册

  
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