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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD880-Y
2SD880-Y PDF预览

2SD880-Y

更新时间： 2024-11-18 07:31:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
NPN Silicon Power Transistors

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2SD880-Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2SD880-Y 数据手册

 浏览型号2SD880-Y的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
Micro Commercial Components  
2SD880-Q  
2SD880-Y  
2SD880-GR  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
NPN Silicon  
Power Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Power amplifier applications  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
•
·
·
Maximum Ratings  
Symbol  
TO-220  
Rating  
Rating  
Unit  
C
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
60  
60  
7
3
1.5  
V
V
V
B
S
F
A
Q
W
R
R
T
-55 to +150  
A
TSTG  
-55 to +150  
U
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
1
2
3
Symbol  
Parameter  
Min  
Type  
Max  
Units  
H
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=50mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
60  
60  
7
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
K
---  
Vdc  
V
L
J
---  
---  
100  
100  
uAdc  
uAdc  
D
R
G
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=7Vdc, IC=0)  
N
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
DIMENSIONS  
(IC=500mAdc, VCE=5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=3Adc, IB=300mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=0.5Adc,VCE=5Vdc)  
60  
---  
---  
---  
300  
1
---  
Vdc  
INCHES  
MM  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
A
MIN  
MAX  
.625  
.560  
.380  
.140  
B
C
.420  
.190  
---  
---  
---  
---  
3
1
Vdc  
MHz  
pF  
3.56  
4.82  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
fT  
Transistor Frequency  
---  
---  
(IC=500mAdc, VCE=5Vdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1MHz)  
G
H
J
Cob  
70  
.012  
0.30  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
ton  
ts  
tf  
Turn on time  
Storage time  
Fall time  
---  
---  
---  
0.8  
1.5  
0.8  
---  
---  
---  
us  
us  
us  
IB1=-IB2=0.2A, IC=2A,  
VCC=30V, PW=20us  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
Classification OF hFE(1)  
Rank  
Range  
Q
Y
GR  
150-300  
60-120  
100-200  
.045  
1.15  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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