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2SD880-HAF

更新时间: 2024-11-19 14:55:15
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先科 - SWST /
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5页 315K
描述
功率三极管

2SD880-HAF 数据手册

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2SD880-HAF  
NPN Silicon Epitaxial Planar Power Transistor  
Features  
• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant  
TO-220FB Plastic Package  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Absolute Maximum Ratings(Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
60  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
60  
V
7
V
3
0.3  
A
Base Current  
IB  
A
Tc = 25℃  
Power Dissipation  
PD  
30  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Thermal Resistance - Junction to Case  
Symbol  
RθJC  
Unit  
Max.  
4.16  
℃/W  
®
1 / 5  
Dated: 01/02/2021 Rev: 01  

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