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2SD880GR

更新时间: 2024-11-18 20:15:51
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
TRANSISTOR 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power

2SD880GR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.33
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):150
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

2SD880GR 数据手册

 浏览型号2SD880GR的Datasheet PDF文件第2页 

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