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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SD874-S-T
2SD874-S-T PDF预览

2SD874-S-T

更新时间： 2024-11-05 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
Transistor

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2SD874-S-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SD874-S-T 数据手册

 浏览型号2SD874-S-T的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SD874-Q  
2SD874-R  
2SD874-S  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Power amplifier applications  
NPN Silicon  
Power Transistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
25  
30  
5
1
500  
-55 to +150  
Unit  
V
V
V
A
SOT-89  
A
PC  
TJ  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
mW  
R
K
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
E
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Type  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
D
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=2mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
25  
30  
5
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
G
H
J
F
---  
Vdc  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=4Vdc, IC=0)  
1
2
3
ON CHARACTERISTICS  
1. Base  
hFE  
Forward Current Transfer ratio  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1.0Adc, VCE=5Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc,IB=50mAdc)  
2. Collector  
3. Emitter  
85  
50  
---  
---  
---  
---  
340  
---  
0.4  
---  
---  
Vdc  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
---  
---  
---  
---  
200  
20  
1.2  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
Transistor Frequency  
ꢀꢁꢂꢆ  
ꢁꢄꢇꢈꢃꢅꢆ  
ꢂꢉꢊꢆ  
ꢂꢂꢆ  
ꢄꢋꢌꢃꢅꢆ  
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc, f=200MHz)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1MHz)  
ꢂꢁꢄꢆ  
ꢍꢎꢏꢐꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢍꢎꢗꢒꢆ  
ꢍꢕꢐꢎꢆ  
ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
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ꢂꢁꢄꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
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ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
Cob  
---  
ꢉꢆ  
ꢖꢆ  
ꢇꢆ  
ꢀꢆ  
ꢃꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
ꢈꢆ  
ꢞꢆ  
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
ꢍꢕꢏꢎꢆ  
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ꢍꢕꢐꢓꢆ  
ꢍꢎꢕꢕꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Classification OF hFE(1)  
ꢆ
ꢆ
Rank  
Range  
Marking  
Q
R
120-240  
ZR  
S
170-340  
ZS  
ꢌꢛꢜꢆ  
85-170  
ZQ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与2SD874-S-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD874-S-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SD874TX PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD874U SWST

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 		功率三极管
2SD874U-AH SWST

获取价格

 		功率三极管
2SD875 KEXIN

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 		Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SD875 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SD875 TYSEMI

获取价格

 		Large collector power dissipation PC. High collector-emitter voltage (Base open) VCEO.
2SD875_15 KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD875H PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD875-HF_15 KEXIN

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 		NPN Transistors

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