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2SD878

更新时间： 2024-02-28 17:02:41

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	194K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD878 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD878

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V (Min)

·High Power Dissipation

·High Current Capability

APPLICATIONS

·High power amplifier applications.

·High power switching applications.

·DC-DC converter applications.

·Regulator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

115

175

-65~175

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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