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2SD875

更新时间： 2024-02-10 06:14:50

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科信 - KEXIN		/
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Silicon NPN Epitaxial Planar Type

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2SD875 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	65	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SD875 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon NPN Epitaxial Planar Type

2SD875

Features

Large collector power dissipation PC.

High collector-emitter voltage (Base open) VCEO.

Mini power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

0.5

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

P^C

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

IC = 10 ìA, IE = 0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^CBO

h^FE

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

IC = 100 ìA, IB = 0

IE = 10 ìA, IC = 0

Collector-base cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

VCB = 20 V, IB = 0

VCE = 10 V, IC = 150 mA

0.1

330

0.4

1.2

ìA

130

V^CE(sat)IC = 300 mA, IB = 30 mA

V^BE(sat)IC = 300 mA, IB = 30 mA

0.2

0.85

120

f^T

VCB = 10 V, IE = -50 mA, f = 200 MHz

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

130 220

185 330

www.kexin.com.cn

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