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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD878 | TOSHIBA |
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HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS |
|
| 2SD878 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SD879 | UTC |
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1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS |
|
| 2SD879 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
|
| 2SD879 | SANYO |
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1.5V, 3V Strobe Applications |
|
| 2SD879 | CJ |
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TO-92 |
|
| 2SD879 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
|
| 2SD879(SOT-89) | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SD879_11 | UTC |
获取价格 |
1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS |
|
| 2SD879_15 | UTC |
获取价格 |
1.5V, 3V STROBE APPLICATIONS |
|
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