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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.28 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 560 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2351T107V | ROHM |
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150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2351T107W | ROHM |
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150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2351U | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2351V | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2351VWT106 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-70 |
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| 2SD2351W | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SD2352 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SD2352_06 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD2353 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SD2353 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220F |
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