2SD2358-SZ

更新时间： 2024-11-21 13:04:23

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	48K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD2358-SZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.15 V
Base Number Matches：	1

2SD2358-SZ 数据手册

Transistors

2SD2358

Silicon NPN epitaxial planer type

Unit: mm

2.5 0.1

1.05

0.05

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SB1538

6.9 0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

I Features

0.65 max.

• Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): < 0.15 V

• Allowing supply with the radial taping

0.45⁺−⁰0.^.0¹5

2.5 0.5 2.5 0.5

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Note) In addition to the

lead type shown in

the upper figure,

the type as shown

in the lower figure

is also available.

1: Emitter

2: Collector

3: Base

MT2 Type Package

1.2

I_C

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

P_C

°C

T_j

150

1.2 0.1

T_stg

−55 to +150

0.65

max.

Note) : Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the

0.1

0.45_−0.05

board thickness of 1.7 mm for the collector portion

(HW Type)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 7 V, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= 2 V, I_C= 100 mA

I_C= 500 mA, I_B= 20 mA

V_CB= 5 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

800

V_CE(sat)

f_T

0.15

MHz

120

Collector output capacitance

C_ob

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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