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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2359H
2SD2359H PDF预览

2SD2359H

更新时间： 2024-09-16 13:01:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD2359H 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SD2359H 数据手册

 浏览型号2SD2359H的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD2359  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
1.5±0.1  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment  
and automatic insertion through the tape packing and the maga-  
zine packing.  
45°  
0.4±0.08  
0.4±0.04  
0.5±0.08  
1.5±0.1  
3.0±0.15  
3
2
1
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
marking  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
20  
20  
V
5
V
1:Base  
1.2  
A
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–62  
Mini Power Type Package  
IC  
1
A
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Marking symbol : 1O  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 14V, IE = 0  
C = 10µA, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
1
VCBO  
VCEO  
VEBO  
hFE  
I
20  
20  
5
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
Forward current transfer ratio  
VCE = 2V, IC = 100mA  
200  
800  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 500mA, IB = 10mA  
0.11  
100  
23  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 6V, IE = –50mA, f = 200MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 6V, IE = 0, f = 1MHz  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2359TX PANASONIC

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