2SD2358

更新时间： 2024-11-04 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)

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2SD2358 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2358 数据手册

Transistors

2SD2358

Silicon NPN epitaxial planer type

Unit: mm

2.5 0.1

1.05

0.05

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SB1538

6.9 0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

I Features

0.65 max.

• Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): < 0.15 V

• Allowing supply with the radial taping

0.45⁺−⁰0.^.0¹5

2.5 0.5 2.5 0.5

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Note) In addition to the

lead type shown in

the upper figure,

the type as shown

in the lower figure

is also available.

1: Emitter

2: Collector

3: Base

MT2 Type Package

1.2

I_C

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

P_C

°C

T_j

150

1.2 0.1

T_stg

−55 to +150

0.65

max.

Note) : Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the

0.1

0.45_−0.05

board thickness of 1.7 mm for the collector portion

(HW Type)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 7 V, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= 2 V, I_C= 100 mA

I_C= 500 mA, I_B= 20 mA

V_CB= 5 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

800

V_CE(sat)

f_T

0.15

MHz

120

Collector output capacitance

C_ob

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