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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2352 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SD2352_06 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SD2353 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SD2353 | FOSHAN |
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TO-220F |
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| 2SD2353_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Triple Diffused Type |
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| 2SD2354 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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| 2SD2355 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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| 2SD2356 | PANASONIC |
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TRANSISTORS(SELECTION GIUDE BY APPLICATIONS AND FUNCTIONS) |
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| 2SD2357 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
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| 2SD2357 | TYSEMI |
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Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector power dissipation PC. |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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